Постараюсь поменьше сканировать и побольше размещать существующих картинок из интернета по теме.
При этом материал из интернета, который связан с темой но не был дан на лекциях помещать не стану, чтоб не перегружать.Только в виде ссылок.
Рисунки и формулы сканировать всё же придётся--и я не владею в необходимой мере--и местный сервис позволяет не всё.
Некоторые схемы и таблицы--в виде списков.Иначе никак.
...................................................................................................................................................
1. ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
1.1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ.
Элементы электронных схем:
- полупроводниковые диоды (п/п)
- биполярные транзисторы (б/п)
- полевые транзисторы (п/т)
- тиристоры
- оптоэлектронные приборы
- операционные усилители
Полупроводниковые материалы (п/п материалы)
Основными материалами, которые применяются при изготовлении п/п приборов являются ГЕРМАНИЙ и КРЕМНИЙ, с удельным электрическим сопротивлением
Проводимость полупроводников в значительной степени зависит от наличия примесей и температуры.
Носителями зарядов являются:
отрицательных--
электроны
положительных--
дырки
В чистом виде полупроводники в полупроводниковых приборах практически не применяются, т.к. обладают малой проводимостью и не обладают односторонней проводимостью.
Техническое применение получили так называемые
примесные полупроводники, в которых, в зависимости от введённой примеси,-- преобладает электронная либо дырочная проводимость.
ДЫРКА--нескомпенсированный положительный заряд.
Основными носителями заряда в полупроводниках являются электроны и такой полупроводник называется полупроводником n-типа(электронного типа).
Неосновными носителями заряда в нём являются дырки.
Примеси, атомы которых отдают электроны--называются
донорами.
При введении примесей трёхвалентных элементов образуется дырочная проводимость, поэтому полупроводник называется полупроводником p-типа(дырочного типа).
Неосновными носителями заряда в нём являются электроны.
Вещества, отбирающие электроны--называются
акцепторами.
Концентрация основных носителей определяется концентрацией примесей и практически не зависит от температуры, так как уже при комнаттной температуре все атомы примесей ионизированы(заряжены).
Устройство и принцип действия
диода.
Полупроводниковым диодом называется полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом: p-n переходом
В результате термогенерации образуются пары: электрон-дырка.
В контактирующих слоях областей с разной проводимостью имеет место
диффузия(проникновение дырок из слоя
p в слой
n и электронов из слоя
n в слой
p ).
Поэтому в приграничных областях слоя
p и слоя
n возникает так называемый
ОБЕДНЁННЫЙ СЛОЙ электронов в области
p и дырок в области
n.
То есть--концентрация подвижных носителей заряда мала, поэтому пограничный слой имеет большое удельное сопротивление.
ПРЯМОЕ И ОБРАТНОЕ ВКЛЮЧЕНИЕ p-n ПЕРЕХОДА.
а) Прямое:
В результате этого(см выше) потенциальный барьер "фи" уменьшится на величину напряжения источника
"u", дрейфовый поток уменьшится и через него будет протекать так называемый
прямой ток(диод открыт).
б)обратное включение:
В результате такого включения--потенциальный барьер "фи" увеличится на величину напряжения источника
"u",ток через p-n переход будет очень мал, так называемый "обратный ток"--за счёт термогенерации электронов и дырок в пограничных областях p-n перехода.
Пробой p-n перехода
Это резкое изменение режима работы p-n перехода, находящегося под обратным напряжением.Особенностью данного режима является резкое изменение дифференциального сопротивления
Виды пробоя:
- туннельный пробой(зеннеровский)
- лавинный пробой
- тепловой пробой
а) Туннельный пробой возникает в материалах, у которых мало геометрическое расстояние между валентной зоной и зоной проводимости (З.П.)
Имеет место в полупроводниках с базой, обладающей низким значением удельного сопротивления.
б)лавинный пробой возникает в случае, если при движении до очередного соударения электро или дырка приобретает энергию, достаточную для ионизации атома.
в)Тепловой пробой.Возникает после электрического пробоя в результате нагрева и
является необратимым
В.А.Х.--ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ДИОДОВ.
Называется зависимость тока, протекающего через диод--от напряжения, приложенного к нему.
ПРИМЕЧАНИЕ : диоды у меня тут изображены с помарками--поэтому ниже размещаю вид из интернета по их реальным точным обозначениям:
