Постараюсь поменьше сканировать и побольше размещать существующих картинок из интернета по теме.

При этом материал из интернета, который связан с темой но не был дан на лекциях помещать не стану, чтоб не перегружать.Только в виде ссылок.

Рисунки и формулы сканировать всё же придётся--и я не владею в необходимой мере--и местный сервис позволяет не всё.

Некоторые схемы и таблицы--в виде списков.Иначе никак.

...................................................................................................................................................

1. ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

1.1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ.

Элементы электронных схем:

• полупроводниковые диоды (п/п)
  
• биполярные транзисторы (б/п)
  
• полевые транзисторы (п/т)
  
• тиристоры
  
• оптоэлектронные приборы
  
• операционные усилители
  

Полупроводниковые материалы (п/п материалы)

Основными материалами, которые применяются при изготовлении п/п приборов являются ГЕРМАНИЙ и КРЕМНИЙ, с удельным электрическим сопротивлением

Проводимость полупроводников в значительной степени зависит от наличия примесей и температуры.
Носителями зарядов являются:
отрицательных--электроны
положительных--дырки
В чистом виде полупроводники в полупроводниковых приборах практически не применяются, т.к. обладают малой проводимостью и не обладают односторонней проводимостью.
Техническое применение получили так называемые примесные полупроводники, в которых, в зависимости от введённой примеси,-- преобладает электронная либо дырочная проводимость.
ДЫРКА--нескомпенсированный положительный заряд.

Основными носителями заряда в полупроводниках являются электроны и такой полупроводник называется полупроводником n-типа(электронного типа).
Неосновными носителями заряда в нём являются дырки.
Примеси, атомы которых отдают электроны--называются донорами.

При введении примесей трёхвалентных элементов образуется дырочная проводимость, поэтому полупроводник называется полупроводником p-типа(дырочного типа).
Неосновными носителями заряда в нём являются электроны.
Вещества, отбирающие электроны--называются акцепторами.

Концентрация основных носителей определяется концентрацией примесей и практически не зависит от температуры, так как уже при комнаттной температуре все атомы примесей ионизированы(заряжены).

Устройство и принцип действия диода.

Полупроводниковым диодом называется полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом: p-n переходом

В результате термогенерации образуются пары: электрон-дырка.
В контактирующих слоях областей с разной проводимостью имеет место диффузия(проникновение дырок из слоя p в слой n и электронов из слоя n в слой p ).
Поэтому в приграничных областях слоя p и слоя n возникает так называемый ОБЕДНЁННЫЙ СЛОЙ электронов в области p и дырок в области n.
То есть--концентрация подвижных носителей заряда мала, поэтому пограничный слой имеет большое удельное сопротивление.

ПРЯМОЕ И ОБРАТНОЕ ВКЛЮЧЕНИЕ p-n ПЕРЕХОДА.

а) Прямое:

В результате этого(см выше) потенциальный барьер "фи" уменьшится на величину напряжения источника "u", дрейфовый поток уменьшится и через него будет протекать так называемый прямой ток(диод открыт).

б)обратное включение:

В результате такого включения--потенциальный барьер "фи" увеличится на величину напряжения источника "u",ток через p-n переход будет очень мал, так называемый "обратный ток"--за счёт термогенерации электронов и дырок в пограничных областях p-n перехода.

Пробой p-n перехода
Это резкое изменение режима работы p-n перехода, находящегося под обратным напряжением.Особенностью данного режима является резкое изменение дифференциального сопротивления

Виды пробоя:

• туннельный пробой(зеннеровский)
  
• лавинный пробой
  
• тепловой пробой
  

а) Туннельный пробой возникает в материалах, у которых мало геометрическое расстояние между валентной зоной и зоной проводимости (З.П.)

Имеет место в полупроводниках с базой, обладающей низким значением удельного сопротивления.
б)лавинный пробой возникает в случае, если при движении до очередного соударения электро или дырка приобретает энергию, достаточную для ионизации атома.
в)Тепловой пробой.Возникает после электрического пробоя в результате нагрева и
является необратимым

В.А.Х.--ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ДИОДОВ.
Называется зависимость тока, протекающего через диод--от напряжения, приложенного к нему.

ПРИМЕЧАНИЕ : диоды у меня тут изображены с помарками--поэтому ниже размещаю вид из интернета по их реальным точным обозначениям: