Компания Samsung вчера заявила о прорыве в области NAND флэш-памяти. Используя новый 30нм процесс, компании удалось разместить 32 гигабайта памяти в чипе с толщиной всего лишь 0.6мм. Получивший чип на 40% тоньше настоящих и настолько же легче. Их производство может дать различным переносным устройствам, вроде смартфонов и медиа-плееров, большие внутренние накопители.

Читать дальше