Во время Международной встречи по электронным устройствам (International Electron Devices Meeting, IEDM), проходящей на этой неделе в Сан-Франциско, множество разработок было представлено в качестве кандидатов на «универсальную память» – то есть, устройств, позволяющих выполнять функции как оперативного, так и долговременного, энергонезависимого хранения. Все технологии, на которых базировались анонсы, не являются дебютантами, но их массовое практическое внедрение в ближайшем будущем по-прежнему под вопросом, а депрессивное состояние рынка, скорее всего, еще более отодвинет сроки их выхода на коммерческий уровень.

Среди основных претендентов на звание «универсальной» – сегнетоэлектрическая память (Ferroelectric Random Access Memory, FRAM), магниторезистивная память (magnetoresistive random-access memory, MRAM), память с изменением фазового состояния (phase change memory, PCM), память на базе программируемой металлизации ячейки (programmable metallization cell, PMC) и резистивная память (resistive random-access memory, RRAM). Близость физического предела, достигнутая в традиционных электронных компонентах для хранения информации, заставляет производителей задумываться о переходе на альтернативные технологии. С другой стороны, общий спад вынудил компании замедлить или отложить освоение более «тонких» техпроцессов (22 нм и менее), соответственно, отложились и возможные сроки появления на рынке «универсальной» памяти.

Экономическая ситуация также вынуждает игроков тщательнее выбирать, в которую из множества технологий вкладывать средства, потому что развивать несколько направлений параллельно может оказаться просто не по карману. Цена выбора также растет – не угадавший будущего победителя технологического состязания потратит впустую немало совсем не лишних сейчас активов. Вместе с тем, оценивая представленные разновидности перспективных решений, специалисты не могут выделить явных фаворитов или аутсайдеров, и, более того, склонны рассматривать их скорее как нишевые продукты, чем действительно «универсальную память», являющуюся оптимальным выбором во всех возможных случаях.

PCM ближе всех подошла к коммерциализации, и могла бы начать конкурировать с NOR-флэш памятью к концу следующего года, но потребуется еще несколько лет, прежде чем она распространится действительно широко. Много внимания уделяется памяти на базе использования спиновых эффектов (spin-torque, STT MRAM), но у нее размер ячеек все еще достаточно велик. Поэтому MRAM рассматривается скорее как встраиваемая память, способная заменить собой внутреннюю динамическую и флэш-память на подложке. RRAM находится на ранних стадиях развития, и в перспективе позиционируется как потенциальная замена NAND-флэш памяти.

Источник
24.12.2008