16.12.2006 [10:31], Александр Харьковский
Hitachi и Renesas Technology сообщили о достижении прогресса в совершенствовании методов создания памяти, основанной на эффекте изменения фазового состояния вещества (phase change memory, PRAM). Суть улучшения дизайна состоит в добавлении дополнительного слоя пятиокиси тантала между контактом управляющего полевого транзистора и пленкой «стандартного» рабочего вещества – халькогенида, сплава германий-сурьма-теллур, способного под воздействием нагрева и электрических полей изменять свое состояние из непроводящего аморфного в проводящее кристаллическое. Нововведение позволяет предотвратить утечку тепла через контакт транзистора, и таким образом уменьшить количество энергии, необходимое для перевода ячейки в аморфное состояние.

Разработчикам и был продемонстрирован прототип PRAM, позволяющий использовать для операций с изменением состояния ячеек ток 100 мкА при напряжении 1,5 В. Хорошая адгезия между пятиокисью тантала и пленкой халькогенида позволяет рассчитывать на хорошую стабильность при производстве памяти – утверждает Renesas. Для существующих реализаций PRAM других разработчиков типичными условиями для изменения фазового состояния являются токи в 1 мА и более. В 2005 г. Hitachi и Renesas уже предложили модифицированный за счет обогащения кислородом сплав германий-сурьма-теллур, который позволял понизить требования к энергопотреблению.

источник.