12.12.2006 [10:54], Александр Будик
В начале сентября компания Samsung продемонстрировала чип памяти PRAM (Phase-change Random Access Memory) плотностью 512 Мбит. Основным достоинством новой памяти тогда отмечалась большая скорость по сравнению с традиционной флэш-памятью. Скорость записи данных на чип PRAM в 30 раз превышала скорость записи на флэш-память. В самом конце сентября компания Intel представила первую 250-мм подложку со 128-мегабитными PRAM-чипами. И всё, в последующие месяцы мы практически ничего не слышали о новых достижениях, относящихся к PRAM-памяти. Тем временем, много внимания уделялось новым разработкам в области накопителей на магнитных жестких дисках. Время от времени выступали с идеями "насадить" 1 терабайт на оптический носитель. В этом водовороте событий про PRAM как бы призабыли... но не надолго.

Сегодня на сайте IBM появилась информация о новой разработке в области памяти на основе фазового перехода (phase-change memory, или PCM). Над прототипом чипа PRAM-памяти, который будет представлен 13 декабря на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) в Сан-Франциско, работают три компании: IBM, Qimonda и Macronix. Заявления разработчиков впечатляют. Сообщается, что новый чип работает в 500 (!) раз быстрее традиционной флэш-памяти. Помимо этого, новая PRAM-память потребляет вдвое меньше электроэнергии по сравнению с "флэшкой".

Как сообщает IBM, для производства традиционной флэш-памяти 45-нм технологические нормы являются "потолком", в то время как PRAM-чипы можно производить по 22-нм техпроцессу. Конечно, это положительным образом скажется на миниатюризации нового типа памяти. Также преимуществом новой технологии является большая надежность.

Основной идеей PRAM-памяти является использование для хранения информации двух фазовых состояний вещества (отсюда и название). Полупроводник находится либо в упорядоченной фазе (кристаллической), либо в неупорядоченной (аморфной). Поскольку для хранения фазовых состояний не требуется питание, то PCM-память является энергонезависимой. Характеристикой ячейки памяти, на основании которой считываются данные, является её электрическое сопротивление. Как нетрудно догадаться, в кристаллической фазе электрическое сопротивление малое (вероятно, ему присвоено значение "1", хотя источник это не уточняет), а в аморфной – большое ("0"). Переключения состояний осуществляются с помощью электрических импульсов.

Ну, и последнее, о чем стоит упомянуть. В своей разработке IBM, Qimonda и Macronix в качестве материала использовали сурьмид германия (GeSb). Конечно, в процессе экспериментов к нему добавлялись разные примеси, в результате чего был достигнут оптимальный состав. К слову, его уже успели запатентовать.

источник.