Многие компании заняты в настоящее время разработкой новых носителей информации, которые бы отвечали двум основным критериям – маленький размер, большая емкость (память). Ближе всех к таким параметрам приблизились специалисты компании НР. Они обещают вскоре создать такое устройство, которое при объеме в один кубический сантиметр будет вмещать в себя 1Гб информации. Даня разработка основана на совершенно новых материалах так называемых мемристорах.
Это элементы, которые имеют одно уникальное свойство менять свое сопротивление в зависимости от внешних воздействий. Основным можно сказать базовым материалом для изготовления мемристоров является диоксид титана. Его особенность заключается в том, что при воздействии на него электрического тока он саморазрушается.
Это приводит к смещению атомов вещества и изменению сопротивления материала. Ученым удалось разогнать работу таких элементов, до скорости работы обычных полупроводниковых транзисторов. А значит в скором будущем может произойти замена полупроводников на такие вот мемристоры, которые на порядок меньше в размерах. К тому же мемристоры потребляют намного меньше электрической энергии, а следовательно и меньше греются, что существенно снижает затраты на охлаждение элементов устройств. По словам Стена Уильямса за такими элементами как мемристоры будущее электронных приборов.
В скором времени компания Intel планирует запустить в производство новую линейку процессоров Core. Данные процессоры будут отличатся от предыдущих версий очень низким энергопотреблением, и предназначены для тонких ноутбуков.
Уже были анонсированы такие линейки Core как i3, i5 и i7. все они имеют высокие характеристики по возрастанию производительности (рост производительности в среднем составляет 32%) и уменьшением энергопотребления (снижение составляет до 15%) по отношению к предыдущим версиям процессоров. Такие процессоры будут ориентированы в основном на использование в портативных устройствах и компьютерах, размеры таких устройств могут составлять до 25мм толщина и вес от 900 грамм и до 2,5кг.
Все представленные чипы имеют двуядерную структуру и изготовлены по 32 нанометровой технологии. При их изготовлении применялись специальные материалы с высокой диэлектрическим показателем проницаемости, и транзисторами с металлическими затворами. Все процессоры представленных линеек имеют возможность работы по системе многопоточности. А версии i5 и i7 кроме того могут работать с увеличением тактовой частоты по технологии Turbo Boost.