Японская компания Elpida Memory представила самую быстродействующую в мире динамическую память, построенную по архитектуре Rambus XDR. Имеющие емкость 512 Мбит чипы работают на частоте 4,8 ГГц, и способны обеспечить скорость обмена данными до 9,6 Гбайт/с. Столь высокая производительность позволяет позиционировать их для применения в таких ресурсоемких приложениях, как устройства, поддерживающие стандарт телевидения высокой четкости (HDTV), в игровых консолях, серверах, рабочих станциях и высокопроизводительных настольных системах.

Чипы Elpida 512 Мб, 4,8 ГГц XDR DRAM (артикул EDX5116ADSE-5E-E) организованы по схеме с 8 «банками» (программируются режимы x16/x8/x4), обеспечиваемая ими скорость обмена, достигающая 9,6 Гбайт/с, шестикратно превышает пиковые возможности по предоставлению пропускной способности стандартной памяти DDR2-800. Микросхемы изготавливаются по 70-нм техпроцессу и упаковываются в 104-контактные FBGA-корпуса. Для сочетания высокой скорости и надежности передачи данных в чипах XDR DRAM используются патентованные разработки Rambus: дифференциальный уровень сигналов (Differential Rambus Signaling Level, DRSL), снижающий колебания сигнала и шум, технология передачи восьми бит информации за один такт (Octal Data Rate, ODR), технология калибровки таймингов и динамической подстройки рабочих токов и активных терминаторов линий шины FlexPhase. В чипах также применяются технологии адаптивного импеданса (adaptive impedance matching), динамическая обработка очереди запросов (dynamic request scheduling) и обновление состояния ячеек с нулевыми накладными расходами (zero overhead refresh).

Микросхемы XDR DRAM – неотъемлемая часть общей архитектуры XDR, предусматривающей совместную работу с контроллером памяти XDR (XDR Memory Controller, XMC), контроллером ввода-вывода (XDR IO controller interface cell, XIO), и тактовым генератором (XDR Clock Generator, XCG), сочетание чего обеспечивает возможность получения беспрецедентной пропускной способности при минимальном количестве чипов. Единственный чип XDR DRAM в режиме x16 характеризуется пропускной способностью 9,6 Гбайт/с, для достижения которой потребовалось бы шесть микросхем DDR2-800 x16. Начало отгрузок образцов EDX5116ADSE-5E-E запланировано на декабрь 2007 г., а развертывание массового производства ожидается в апреле 2008 г.