Компания Micron 1 февраля представила высокоскоростную флеш-память NAND. Скорость чтения у новой памяти составляет 200 мегабайт в секунду, а скорость записи - до 100 мегабайт в секунду.

У обычной NAND-памяти скорость чтения ограничена 40 мегабайтами в секунду, а скорость записи составляет менее 20 мегабайт в секунду.

Новая память создана по 55-нанометровому технологическому процессу и выдерживает до 100 тысяч циклов чтения/записи. Представленные образцы могут хранить до 8 гигабит данных.

Ожидается, что производители начнут массовое производство высокоскоростной памяти во второй половине 2008 года.

http://lenta.ru/news/2008/02/01/nand/

http://www.micron.com/

Интересно какой интерфейс будет? USB 3.0 или на что-то другое?

У USB 2.0 уже не хватит пропускной способности

LI 7.05.22