|
![]() Гранты правительства РФ - десяти победителямПонедельник, 02 Июня 2025 г. 23:18 (ссылка)
Отобраны 10 научных центров мирового уровня ![]() Заместитель Председателя Правительства России Дмитрий Чернышенко провел очередное заседание президиума Комиссии по научно-технологическому развитию (НТР) России (см.), на котором утвердили победителей конкурсного отбора на предоставление грантов научным центрам мирового уровня (НЦМУ). В работе заседания приняли участие Министр науки и высшего образования РФ Валерий Фальков, президент Российской академии наук Геннадий Красников, первый заместитель министра экономического развития РФ Максим Колесников, заместитель Министра финансов РФ Павел Кадочников, представители научных и образовательных организаций. «По итогам конкурса отобраны 10 НЦМУ. Их деятельность будет направлена на разработку и внедрение в экономику важнейших наукоемких технологий, определенных указом Президента Владимира Путина. Размер субсидии для каждого из отобранных научных центров мирового уровня составит до 320 млн рублей ежегодно», – подчеркнул Дмитрий Чернышенко. Вице-премьер также отметил, что экспертизу всех поступивших заявок обеспечивал Научно-технический совет Комиссии, и поблагодарил его руководителя Геннадия Красникова за проведенную работу. Глава Минобрнауки Валерий Фальков сказал, что на конкурсный отбор поступили заявки по всем семи приоритетным направлениям научно-технологического развития, утвержденным главой государства. «В дальнейшем планируется закрепить за отраслевыми федеральными органами исполнительной власти отобранные научные центры. Это обеспечит максимально плотное взаимодействие сторон», – отметил министр. «В прошлом году в соответствии с Указом Президента Российской Федерации от 18 июня 2024 года были утверждены семь приоритетных направлений научно-технологического развития нашей страны. В этой связи при рассмотрении заявок Научно-технический совет Комиссии и Российская академия наук исходили из того, чтобы каждому приоритетному направлению соответствовал хотя бы один научный центр мирового уровня. Всего нами было рассмотрено 46 заявок», — сообщил президент РАН Геннадий Красников. Гранты в форме субсидии из федерального бюджета для создания НЦМУ будут предоставлены десяти центрам-победителям: - Научный центр мирового уровня ИТ СО РАН «Теплофизика и энергетика» (Институт теплофизики им. С.С. Куталадзе СО РАН), - Научный центр мирового уровня «Новые материалы специального назначения» (Томский государственный университет), - Центр кибернетической медицины и нейропротезирования (Федеральный центр мозга и нейротехнологий ФМБА), - Центр современной селекции сельскохозяйственных растений (Федеральный научный центр овощеводства), - Научный центр мирового уровня «Агроинженерия будущего» (Ставропольский государственный аграрный университет), - Центр перспективной микроэлектроники (Московский физико-технический институт), - Электронные и квантовые технологии на основе синтетического алмаза (НИЯУ «МИФИ»), - Интеллектуальные беспилотные авиационные системы (Самарский национальный исследовательский университет им. ак. С.П. Королева), - Центр рационального использования редкометалльного сырья (Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН), - Научный центр мирового уровня «Высокотехнологичная биоэкономика» (Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт»). Размер грантов определяется программой развития каждого центра, которая формируется на период не менее 6 лет. Напомним, первые научные центры мирового уровня были созданы в 2020 году в рамках национального проекта «Наука и университеты», реализация которого завершилась в прошлом году. По поручению Президента Владимира Путина новый этап развития центров будет реализован в рамках Государственной программы «Научно-технологическое развитие Российской Федерации».
![]() Сотрудникам ФИАН - награды Минобрнауки РФПонедельник, 31 Марта 2025 г. 14:04 (ссылка)
Сотрудники ФИАН впервые получили почетные ведомственные награды Минобрнауки Глава Министерства науки и высшего образования Российской Федерации Валерий Фальков наградил сотрудников ФИАН нагрудным знаком «Ветеран».
- Азязов Валерий Николаевич, директор Самарского филиала; - Борисенко Наталия Глебовна, ведущий научный сотрудник; - Величанский Владимир Леонидович, ведущий научный сотрудник; - Дмитриева Мария Николаевна, техник 1 категории; - Лебедев Владимир Сергеевич, руководитель Отделения оптики. Cотрудники ФИАН получают данную ведомственную награду впервые. ![]() Нагрудной знак «Ветеран» Министерства науки и высшего образования Российской Федерации является ведомственным знаком отличия Минобрнауки. Он также дает право на присвоение звания «Ветеран труда». Награждение нагрудным знаком производится за заслуги в труде и продолжительную работу в сфере высшего образования и соответствующего дополнительного профессионального образования, научной, научно-технической и инновационной деятельности, нанотехнологий, развития федеральных центров науки и высоких технологий, государственных научных центров и наукоградов, интеллектуальной собственности, в сфере социальной поддержки и социальной защиты обучающихся, молодежной политики. Ведомственная награда Министерства науки и высшего образования Российской Федерации нагрудной знак «Ветеран» была учреждена в августе 2021 года.
![]() Министр науки РФ посетил строительство «СКИФ»Пятница, 07 Июня 2024 г. 22:58 (ссылка)
Монтажные работы ведутся в ускорительном комплексе СКИФа
"Особое внимание Валерий Фальков обратил на резонатор бустера - одну из самых технологически сложных деталей установки. Высокочастотная система отвечает за ускорение пучка электронов. Подобное оборудование производят всего несколько стран в мире", - говорится в сообщении. Министр оценил готовность корпуса стендов и испытаний, а также посетил здание инжектора (одного из наиболее сложных объектов синхротрона), где ведутся монтажные работы. "Работы ведутся в установленные сроки - на техническую готовность СКИФ выйдет в декабре 2024 года", - говорится в сообщении. По итогам визита министр провел совещание по дальнейшей реализации проекта, на котором обсудили этапы строительства, запуск экспериментальных работ, научную программу и подготовку кадров. СКИФ представляет собой комплекс из 34 зданий общей площадью застройки - 86,8 тыс. кв. м. В самом большом здании комплекса (внешний диаметр - 240 м) - корпусе основного накопителя - производятся армирование и бетонирование стен. Установочные работы идут еще в двух отдельных корпусах экспериментальных станций. Оборудование для установки изготавливается на опытных производствах Института ядерной физики им.Г.И.Будкера СО РАН и его предприятий-партнеров. На сборочном цехе ИЯФ идет крупноблочная сборка оборудования.
Согласно уточненному плану строительства ЦКП "СКИФ", в декабре 2024 года планируется запустить синхротрон и станции первой очереди, в начале 2025 года - приступить к их опытной эксплуатации. В состав ЦКП "СКИФ" по первоначальному проекту войдут 30 экспериментальных станций, 14 из которых будут использовать излучение вставных устройств (размещаемых в прямолинейных участках основного кольца длиной 4-6 метров), а 16 - разместятся на пучках из поворотных магнитов. На станциях планируется изучать структуры биополимеров, механизмы функционирования живых организмов, передачу наследственной информации, механизм действия лекарственных препаратов, создание новых материалов, исследование быстротекущих процессов, и т. д.... СКИФ станет первым в мире источником синхротронного излучения поколения 4+ с энергией 3 ГэВ. Строительство ЦКП "СКИФ" изначально оценивалось в 37,1 млрд рублей, на данный момент окончательная стоимость всего проекта составляет 47,3 млрд рублей. По: Интерфакс
![]() «СКИФ» строится, пора готовить исследователейВторник, 20 Марта 2024 г. 00:19 (ссылка)
Российская академия наук готовит международную научную программу для синхротрона СКИФ В скором времени Российская академия наук (РАН) планирует запустить обширную программу международных научных исследований, ориентированных на строящийся кольцевой источник фотонов в Сибири, известный как СКИФ. Об этом во вторник заявил журналистам министр науки и высшего образования Российской Федерации, Валерий Фальков. Согласно его словам, эта программа научных работ представит широкие возможности для международного сотрудничества и развития научных исследований в России и за её пределами. ![]() В источнике дано это фото - сильно устаревшее к дате публикации Министр подчеркнул, что установка будет иметь ключевое значение для прогресса различных областей науки. После ввода установки в эксплуатацию на ней предполагается работа нескольких сотен специалистов. "Это синхротрон нового поколения, даже 4+. Подобных объектов в мире практически нет (*). Он придаст конкурентные преимущества, в первую очередь, российским ученым, занимающимся исследованиями в различных областях — от свойств живых организмов до фармакологии, медицины и материаловедения", — отметил Фальков. Он также добавил, что создание синхротрона способствовало развитию ведущих институтов в новосибирском Академгородке, которые специализируются на изготовлении уникального научного оборудования. ![]() Это фото - зимы 2023-2024 г.г. Прогресс налицо, но до ввода в строй далековато... Сибирский кольцевой источник фотонов (СКИФ) - это научно-исследовательский объект, который в настоящее время строится в наукограде Кольцово в Новосибирской области, Россия. Он представляет собой источник синхротронного излучения четвёртого поколения с энергией 3 ГэВ и эмиттансом 75 пм·рад. Планируется завершение строительства в 2024 году. СКИФ является одним из крупнейших научных проектов в России за последние десятилетия в области научно-исследовательской инфраструктуры. Опубликовано: «New-Science» - 19.03.2024 (*) - Вряд ли стоит говорить об "уникальности" новостройки - см. мировой перечень источников синхротронного излучения (https://ru.wikipedia.org/wiki/Список_источников_синхротронного_излучения) . Подобного поколения синхротроны уже работают в Бразилии, Франции, Швеции. Речь может идти об улучшении некоторых характеристик ИССИ.
|
|
LiveInternet.Ru |
Ссылки: на главную|почта|знакомства|одноклассники|фото|открытки|тесты|чат О проекте: помощь|контакты|разместить рекламу|версия для pda |