Просто кусок из лекций:
В результате снижения потенциального барьера дырки из области эмиттера диффундируют через р-n-переход в область базы (инжекция дырок), а электроны - из области базы в область эмиттера. Однако, поскольку удельное сопротивление базы высокое, дырочный поток носителей заряда преобладает над электронным потоком. Поэтому последним в первом приближении можно пренебречь. Для количественной оценки составляющих полного тока р-n-перехода используют коэффициент инжекции...


Ну не знаю я микроэлектонику!... Послезавтра экзамен, а мне такого дерьмища отборного 150 страниц выучить надо